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開発したGaScNのメモリ動作に必要な電圧の比較
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強誘電性(分極−電界曲線)の説明図
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左は作製したGaScNの強誘電性(分極−電界曲線)の一例、中央はGaScNの抗電界に対するSc濃度の効果、右は残留分極と抗電界の比較左は作製したGaScNの強誘電性(分極−電界曲線)の一例、中央はGaScNの抗電界に対するSc濃度の効果、右は残留分極と抗電界の比較左は作製したGaScNの強誘電性(分極−電界曲線)の一例、中央はGaScNの抗電界に対するSc濃度の効果、右は残留分極と抗電界の比較 ソスソスソスヘ作製ソスソスソスソスGaScNソスフ具ソスソスUソスdソスソスソスiソスソスソスノ−ソスdソスEソスネ撰ソスソスjソスフ茨ソスソスAソスソスソスソスソスソスGaScNソスフ抗ソスdソスEソスノ対ゑソスソスソスScソスZソスxソスフ鯉ソスソスハ、ソスEソスヘ残ソスソスソスソスソスノと抗ソスdソスEソスフ費ソスrソスmソスNソスソスソスbソスNソスナ拡ソスソスn ソスoソスソスソスFソスYソスソスソスソス

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