���f�B�A

���E�ő�K�͂̃p���G���W����uPCIM�v���J���F31��������650�Ё^�c�̈ȏオ�o�W

���E�ő�K�͂̃p���[�G���N�g���j�N�X�W����uPCIM Expo��Conference�v���A�h�C�c�E�j�������x���N�ŊJ���B31�J������W�܂���650�ȏ�̊�Ɓ^�c�̂��p���[�G���N�g���j�N�X����̍ŐV�Z�p���Љ�Ă���B

» 2025�N05��07�� 09��30�� ���J
[�i�R���CEE Times Japan]

�@���E�ő�K�͂̃p���[�G���N�g���j�N�X�W����uPCIM Expo��Conference�v���A�h�C�c�E�j�������x���N�ŊJ�������B�����2025�N5��6�`8����3���ԂŁA31�J������W�܂���650�ȏ�̊�Ɓ^�c�̂��p���[�G���N�g���j�N�X����̍ŐV�Z�p���Љ�Ă���B

PCIM ExpoConferencẻ PCIM Expo��Conference�̉��

�@����̓W���G���A�͖�4��m2�Ƃ����A�o�W�Ґ��A�W���G���A�Ƃ��Ɂu�ߋ��ō��v�Ƃ��Ă����O�N�������Ă���B�o�W�҂�Infineon Technologies��STMicroelectronics�ARobert Bosch���͂��߂Ƃ������B���͂������Aonsemi��Texas Instruments�AWolfspeed�Ƃ������č���ƂȂǐ��E�e������o�W�B�O�H�d�@�Ⓦ�ŁA���[���A�x�m�d�@�A�T���P���d�C�i���񏉁j�ȂǁA���n��Ƃ������Q�����Ă���B�����ł͓d�C�����ԁiEV�j�s�ꂪ�����^��؂�������̂́A���������C���o�[�^�[��I���{�[�h�`���[�W���[����SiC�i�Y���P�C�f�j��GaN�i�����K���E���j�f�o�C�X�̊v�V�Ȃǂ��Љ��Ă���ق��A�}���Ɋg�傷��AI�T�[�o�Ɍ������e�Ђ̎��g�݂��ڗ��B

�ŗD�G�_���܂Ƀ~���C�Y �e�N�m���W�[�Y�����

�@PCIM�ł͖��NEXPO�ƃJ���t�@�����X�𕹐݂��Ă���B������2025�N5��6���ɂ̓J���t�@�����X�ɂ����āA450�ȏ�̓��e�_���̒�����v�V�I�ȃA�C�f�A��\������uPCIM Conference Awards�v�̎�܎҂����\����A�ŗD�G�_���܂Ƀ~���C�Y �e�N�m���W�[�Y��Hironori Akiyama���́uLow-Loss Active Gate Driver with Surge Voltage Detection for SiC MOSFET�^SiC MOSFET�p�T�[�W�d�����o�@�\�t���ᑹ���A�N�e�B�u�Q�[�g�h���C�o�[�v���܂ތv3�{���I�o���ꂽ�BAkiyama���̘_���́A�T�[�W�d�������o���ăQ�[�g�d���𒲐����邱�ƂŁA�T�[�W�d������背�x���ɐ���”\�Ƃ���A�V�����A�N�e�B�u�Q�[�g����@�B�T�[�W�d�������E�ɋ߂Â��܂ŃX�C�b�`���O���x���グ�邱�ƂŃX�C�b�`���O������ጸ�ł���Ƃ����A�����ł́A�T�[�W�d���𐧌䂷�邱�ƂŁA�X�C�b�`���O������36�`52���ጸ�ł��邱�Ƃ������ꂽ�Ƃ��Ă���B

�@����2�{�́AFraunhofer IAF��Michael Basler���ɂ��uHighly-Integrated 1200 V GaN-Based Monolithic Bidirectional Switch�^���W��1200V GaN�x�[�X���m���V�b�N�o�����X�C�b�`�v�ƁA�`���[���b�q�H�ȑ�w��Bastian Korthauer���ɂ��uImproved Insulation Design of Medium-Frequency Transformers Using a Semiconductive Coil Former�^���d���R�C���t�H�[�}�[��p���������g�g�����X�̐≏�݌v�̉��P�v���BBasler���̘_���́A�t���[�z�C�[���_�C�I�[�h����������A1200V�𒴂���u���b�L���O�d�������ƒ��m���V�b�N�o����GaN�X�C�b�`�iMBDS�j���J�������Ƃ������́B

�@��Î҂́u��ܘ_���́A�p���[�G���N�g���j�N�X�V�X�e���̌������A�����”\���A���\�����コ����L�[�e�N�m���W�[����I�ȃA�v���[�`�����������̂��B����̎�܎҂́A��������e����̑����Ŋ��􂵁A�ƊE�����ʂ���ۑ�ɑ΂�����H�I�ȉ�������Ă��Ă���v�ƕ]���Ă���B

Fraunhofer IAF̃t[zC[_CI[hmVbNo1200V GaNXCb` Fraunhofer IAF�̃t���[�z�C�[���_�C�I�[�h������������m���V�b�N�o����1200V GaN�X�C�b�`�m�N���b�N�Ŋg��n�o���FFraunhofer IAF

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSS�t�B�[�h

����SNS

EE Times �C�O�l�b�g���[�N

�C�O��g�T�C�g

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.

OSZAR »