���f�B�A

MIT�A�J�[�{���i�m�`���[�u��RISC-V�v���Z�b�T���J���FBeyond-Silicon

��Massachusetts Institute of Technology�iMIT�j�̌����O���[�v���A�J�[�{���i�m�`���[�u�iCNT�j�g�����W�X�^���g����16�r�b�g��RISC-V�}�C�N���v���Z�b�T�̊J���ɐ��������Ɣ��\�����B�ƊE�W���̐݌v�t���[�ƃv���Z�X��K�p���A�V���R���v���Z�b�T�Ɣ�ׂ�10�{�ȏ㍂���G�l���M�[��������������Ƃ����B

» 2019�N09��13�� 09��30�� ���J
[Nitin Dahad�CEE Times]

�@��Massachusetts Institute of Technology�i�ȉ��AMIT�j�̌����O���[�v���A�J�[�{���i�m�`���[�u�iCNT�j�g�����W�X�^���g����16�r�b�g��RISC-V�}�C�N���v���Z�b�T�̊J���ɐ��������Ɣ��\�����B�ƊE�W���̐݌v�t���[�ƃv���Z�X��K�p���A�V���R���v���Z�b�T�Ɣ�ׂ�10�{�ȏ㍂���G�l���M�[��������������Ƃ����B

�@�V���R���͍���A����܂ł̂悤�Ȕ��׉���Nj��ł��Ȃ��Ȃ��Ă������߁A�V���R���ɑ����Ĕ��׉�����������gBeyond-Silicon�h�Z�p�Ɋւ��邳�܂��܂Ȍ������i�߂��Ă���BCNFET�i�J�[�{���i�m�`���[�u�d�E���ʃg�����W�X�^�j���x�[�X�Ƃ����f�W�^����H�́A�G�l���M�[�������m���ɑ啝�ɍ��߂���Ƃ��������b�g��񋟂��邪�A�{���I�ȃi�m�X�P�[�����ׂ�A�J�[�{���i�m�`���[�u�̂΂�‚��������ɂ͐���ł��Ȃ����߁A����K�͂ȓ����V�X�e�����������邱�Ƃ͕s�”\���Ƃ���Ă����B

�@MIT�̌����O���[�v�͍���A�pNature���Ɍf�ڂ��ꂽ70�y�[�W�ɋy�Ԙ_���̒��ŁA�ǂ̂悤�ɂ����̉ۑ���������āA���S��CNFET���x�[�X�Ƃ���Beyond-Silicon�}�C�N���v���Z�b�T�����؂���Ɏ������̂���������Ă���B�č��h���������v��ǁiDARPA�j��Analog Devices�A�č����Ȋw���c�iNSF�FNational Science Foundation�j�A�ċ�R�������iAFRL�FAir Force Research Laboratory�j�Ȃǂ���̃T�|�[�g���󂯂��Ƃ����B

1��4000�ˆȏ��CMOS CNFET��

�@16�r�b�g�}�C�N���v���Z�b�T�́ARISC-V���߃Z�b�g���x�[�X�Ƃ��A16�r�b�g�f�[�^�^�A�h���X��ŕW���I��32�r�b�g���߂����s����B1��4000�ˆȏ��CMOS CNFET���g�ݍ��܂�Ă���A�ƊE�W���̐݌v�t���[�ƃv���Z�X��K�p���Đ݌v�A��������Ƃ����B�����O���[�v�͘_���̒��ŁA�J�[�{���i�m�`���[�u�̍쐻���@�Ƃ��āA�E�G�n�[��‘S�̂Ƃ��������I�K�͂Ńi�m�X�P�[�����ׂ��������邽�߂̃v���Z�X�^�݌v�Z�p�̑g�ݍ��킹���ɂ‚��Ē񎦂��Ă���B

CNFET���g�p���������ꂽ16�r�b�g�}�C�N���v���Z�b�T�uRV16X-NANO�v�̌������ʐ^�B�_�C�̒����Ƀv���Z�b�T�R�A������A���̎��͂��e�X�g��H���͂�ł��� �i�N���b�N�Ŋg��j �o�T�FNature
�uRV16X-NANO�v�i32�j���`������150mm�E�G�n�[ �i�N���b�N�Ŋg��j

�@�ƊE�͂���܂ŁA���[�A�̖@����Nj����邱�Ƃɂ���āA2�`3�N�����Ƀ`�b�v��ɂ�葽���̃g�����W�X�^���l�ߍ��ޏ��^�����������A���G������v�Z�����s���Ă����B�������₪�āA�V���R���g�����W�X�^�̔��׉����I�����}���A�������啝�ɒቺ���鎞������B�������ʂɂ��ƁACNFET�́A�V���R���ɑ΂��Ė�10�{�̃G�l���M�[�����ƍ��������������邱�Ƃ��”\���Ƃ����B�������A�g�����W�X�^��ʎY����ƂȂ�ƁA���\�ɉe�����y�ڂ����܂��܂Ȍ��ׂ������邽�߁A���p���͍���Ƃ���Ă����B

�@����MIT�̌����O���[�v���J�������V�����Z�p�́A�����̃V���R���`�b�v�t�@�E���h���[�̃v���Z�X�Z�p��K�p���邱�Ƃɂ��A���ׂ̔�����啝�ɗ}���ACNFET�̐������@�\�I�Ɋ��S���䂷�邱�Ƃ��”\���BRISC-V�I�[�v���\�[�X�`�b�v�A�[�L�e�N�`�����x�[�X�Ƃ����ACNFET�x�[�X�̃}�C�N���v���Z�b�T�́A�t���Z�b�g�̖��߂𐳊m�Ɏ��s���邱�Ƃ��ł���B�܂��A�ÓT�I�ȁuHello, World!�v�i�n���[���[���h�j�v���O�����̏C���ł����s���āA�uHello, World! I am RV16XNano, made from CNT�v�i���n���[���[���h�I ����CNT������ꂽRV16XNano�ł��j�ƕ\�������邱�Ƃ��ł����Ƃ����B

�y�|��F�c�������A�ҏW�FEE Times Japan�z

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSS�t�B�[�h

����SNS

EE Times �C�O�l�b�g���[�N

�C�O��g�T�C�g

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.

OSZAR »