�\�ʌ��ז��x��������SiC�G�s�E�G�n�[���J���F���a�d�H
���a�d�H��2019�N8���A�p���[�����̗pSiC�i�Y���P�C�f�j�G�s�^�L�V�����E�G�n�[�Ƃ��āA���ɗʎY����6�C���`�T�C�Y�̒ጇ�׃O���[�h�i������ɍ��i����������2���㐻�i���J�������Ɣ��\�����B
» 2019�N08��05�� 10��15�� ���J
�@���a�d�H��2019�N8���A�p���[�����̗pSiC�i�Y���P�C�f�j�G�s�^�L�V�����E�G�n�[�Ƃ��āA���ɗʎY����6�C���`�T�C�Y�̒ጇ�׃O���[�h�u�n�C�O���[�h�G�s�v�i�ȉ��AHGE�j������ɍ��i����������2���㐻�i�i�ȉ��AHGE-2G�j���J�������Ɣ��\�����B
�@�J������HGE-2G�́A�G�s�^�L�V���������v���Z�X�̍��x���Ȃǂɂ��A�f�o�C�X����������ɉe������\�ʌ��ז��x���]����HGE��2����1�ȉ��ɗ}�����B�����ɁA�f�o�C�X�̐M�����i�ʓd�j�ɉe��������ʓ]�ʂ̊����̓`�d�ɂ�����ϊ��������]����10�{�ȏ�ɂ܂ō��߂��Ƃ���B
�]���̒ጇ�׃O���[�hSiC�E�G�n�[�u�u�n�C�O���[�h�G�s�v�iHGE�j�ƁA����J��������2����i�iHGE-2G�j�̔�r �i�N���b�N�Ŋg��j �o�T�F���a�d�H
�@���a�d�H�͊J������HGE-2G���A100A���̑�d���������d�C�����Ԃ�S���ԗ������̃��[�^�[�쓮�C���o�[�^�[���W���[�ɓ��ڂ���`�b�v�T�C�Y��10mm�p���x�ɋy�ԑ�^��SiC-MOSFET�`�b�v�ȂǂɌ�������j�B
�@���Ђ́A�uSiC�G�s�^�L�V�����E�F�n�[�̐��E���v�́A2025�N��1500���~�K�͂Ɋg�傷��Ɨ\�z����Ă���B���Ђ́A���E�ő�̊O�̃��[�J�[�Ƃ��āA�}�g�傷��s��ɑ��A���M�����i�̊J����ϋɓI�ȑ��Y������ʂ��ASiC�f�o�C�X�̕��y�ɍv������ƂƂ��ɁA�i���v���ƈ��萫�������x���ňێ��ł���j���h���Ƃւ̐�����}��v�Ƃ��Ă���B
���a�d�H�����i��SiC�E�G�n�[�Y�A���Y9000����
���a�d�H��2018�N7��3���ASiC�i�Y���P�C�f�j�G�s�^�L�V�����E�G�n�[�i�ȉ��A�G�s�E�G�n�[�j�̍��i���O���[�h�i�ł��铯�А��i�u�n�C�O���[�h�G�s�v�ɂ��āA���Y�����肵���Ɣ��\�����B
�ԍڃC���o�[�^�[��SiC�̗p�A2021�N�ȍ~�Ɋ�����
�h�C�c�E�j�������x���N�Ŗ��N5���Ȃ���6���ɊJ�Â����p���[�G���N�g���j�N�X�̓W����uPCIM Europe�v�ɂ����āA�N�X���݊������܂��Ă���̂��A�d�C�����ԁiEV�j��v���O�C���n�C�u���b�h�����ԁiPHEV�j�����̃p���[�G���N�g���j�N�X�Z�p�̏Љ�ɓ��������u�[�X�uE-Mobility Area�v�ł���B
Si�̌��E��˔j����I 3300V IGBT��5V�Q�[�g�쓮�ɐ���
2019�N5���A������w���Y�Z�p�������̍X����Ə���A���{�r�Y�����𒆐S�Ƃ��錤���O���[�v�́A�ψ�3300V�N���X�̃V���R���ɂ��IGBT�i�≏�Q�[�g�^�o�C�|�[���g�����W�X�^�j���A�Q�[�g�쓮�d��5V�œ��삳���邱�Ƃɐ��������Ɣ��\�B2019�N5��28���ɁA�����s���ŋL�҉���J�Â��A�J���Z�p�̏ڍׂ���������B
�嗬�̓V���R���p���[�����́AEV�s��Ɋ��ґ�
���Ńf�o�C�X���X�g���[�W�́A2019�N4���A�����s���Ńp���[�����̂Ɋւ���Z�p����������{���A�p���[�����̂̎s��\���Ⓦ�ł̃p���[�����̎��Ƃ̌���Ȃǂ���������B���Ńf�o�C�X���X�g���[�W�Ńp���[�f�o�C�X�Z�t���߂���F�L���́A���݂̎嗬�̓V���R�����i�ł���A���ɍ����\���v�������MOSFET�ƃn�C�p���[���i�i��IGBT�j�ɒ��͂���Ƃ��ASiC�i�Y���P�C�f�j�p���[�f�o�C�X�̏������ɂ��G��A�u�p���[�����̎��Ƃ͔��Ɉ��肵�����Ƃ��B��������i�J���Ɠ������p�����Ă����v�ƌ�����B
�O�H�d�@�ASiC�p���[�����̐��i��p�r�ʂɒ��
�O�H�d�@�́A�uTECHNO-FRONTIER 2019�i�e�N�m�t�����e�B�A�j�v�ŁA�p���[�G���N�g���j�N�X�@��̏ȃG�l���ɂȂ���ASiC�i�Y���P�C�f�j�p���[�����́^���W���[�����i���ꓰ�ɓW�������B
ST��SiC�E�G�n�[���[�J�[Norstel��
STMicroelectronics�i�ȉ��AST�j��2019�N2��6���i�X�C�X���ԁj�A�X�E�F�[�f����SiC�i�Y���P�C�f�j�E�G�n�[���[�J�[�ł���Norstel�̊������ߔ����擾����Ɣ��\�����B
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.