Intel��2017�N��10nm�`�b�v�������J�n����\�肾�B����ɁA22nm�̒�d��FinFET�iFinFET low power�A�ȉ�22nm FFL�j�v���Z�X�����\�����BGLOBALFOUNDRIES�Ȃǂ���|����FD-SOI�i���S��R�^�V���R���E�I���E�C���V�����[�^�[�j�ɐ^�������璧�݁A�t�@�E���h���[�r�W�l�X�ŋ��������B
���̋L������������ł��B����o�^����ƑS�Ă������������܂��B
�@Intel��10nm�v���Z�X�ŁA1mm2������1��80���̃g�����W�X�^���l�ߍ��ތv��ł���B���Ƀ��X�N�ʎY���n�܂��Ă���TSMC��Samsung Electronics��10nm�v���Z�X�̃g�����W�X�^���x�͂��̖����Ƃ����B
�@�g�����W�X�^���x���v�Z����Intel�̎w�W�́A���^����ё�K�͂ȃ��W�b�N�Z���̖��x�ω��������̂ł���B��̓I�ɂ́A���Ђ�2�̃A�N�e�B�u�Q�[�g�������2���͂�NAND�Z���ƁA25�̃A�N�e�B�u�Q�[�g��������X�L�����t���b�v�t���b�v�Z����p���Ă���B
�@Intel�̃V�j�A�t�F���[�ŁA�v���Z�X�A�[�L�e�N�`������ѓ�������̃f�B���N�^�[�߂�Mark Bohr���́u���Ђ̎w�W�͕�I����ʓI�ł����Ɍ������������Ă���v�Əq�ׂ��B
�@���݂̃v���Z�X�m�[�h�́A���ۂ̒����Ƃ������́u�m�[�h�Ԃ̑��ΓI�Ȑi���v�������Ă���悤�Ȃ��̂��B
�@�w�W���ǂ̂悤�Ȃ��̂ł��AIntel��14nm�v���Z�X�Ɉڍs���Ă���3�N�ڂƂȂ�2017�N�㔼�ɁA10nm�v���Z�X��K�p���鎟����v���Z�b�T�uCanon Lake�v�̐������J�n����v�悾�B���Ђ͎��̃m�[�h��3�N�ňڍs����Ƃ����y�[�X���ێ����邱�Ƃ�]��ł��邪�A10nm�v���Z�X�ł�1�N�ڂ�2�N�ڂɂ��A�b�v�O���[�h��\�肵�Ă���B���v���Z�X��1�N�ڂ̃A�b�v�O���[�h��́u10+�v�A2�N�ڂ́u10++�v�ƌĂ��悤�ɂȂ�Ƃ����B
�@�����A���́A������10nm�v���Z�X����Intel�́u14++�v�v���Z�X�̕����������\������Ă���B�Ƃ͂����A10nm�v���Z�X�́A���Ⴂ����d�͂ƁA��荂���g�����W�X�^���x���������Ă���B
�@Intel��10nm�m�[�h�ɂ��āA���������ڍׂ𖾂炩�ɂ��Ă���B�t�@�E���h���[�r�W�l�X�ŋ�������TSMC��Samsung������10nm�v���Z�X���n�������Ă��邱�Ƃ���AIntel�́A���v���Z�X�ɂ�����D�ʐ������ϋɓI�Ɏ����K�v���������̂��낤�B
�@Intel��10nm�v���Z�X�́A�t�B���s�b�`��34nm�A�t�B���̍�����53nm�A���^���s�b�`�͍ŏ���36nm�A�Z��������272nm�A�Q�[�g�s�b�`��54nm�ƂȂ��Ă���B
�@�A�i���X�g���Intel��10nm�v���Z�X�Ɋ��������悤�����A�����ɑ���D�ʐ�������Ɣ��f�����Ƃ��ăg�����W�X�^���x���œK�Ȃ̂��ǂ����ɂ��ẮA�ӌ��������ꂽ�B�v���Z�X��28nm����16nm��14nm�ɐi�ނɂ�āA�����͌������𑝂�����ł���B���������̒��ŁA�ǂ������������̂��ɂ��ẮA���i�K�ł͂܂����Ƃ������Ȃ��悤���B
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.