Micron Technology�́uISSCC 2016�v�ŁA3�r�b�g�^�Z���̃t���[�e�B���O�Q�[�g������K�p�����A768G�r�b�g��3�����i3D�jNAND�^�t���b�V���������\�����B�ǂݏo�����x�́A800M�o�C�g�^�b���Ƃ����B3D NAND�t���b�V���̋������������邱�Ƃ��\�z�����B
�@Micron Technology�́ANAND�^�t���b�V���������̉���I�Ȑv�Z�p�Ɋւ���_���\�����B�s�������������s��ł̃��[�_�[�V�b�v������Samsung Electronics���̗p����3�����i3D�j�����\����NAND�t���b�V���Z�p�̑R�n�ƂȂ�Z�p���Ƃ����BMicron��Samsung�͂��ꂼ��A�č��T���t�����V�X�R�ŊJ�Â��ꂽ�uISSCC 2016�v�i2016�N1��31���`2��4���j�Ŕ��\�����B
�@Micron�����\�����̂́A3�r�b�g�^�Z���̃t���[�e�B���O�Q�[�g������K�p����3D�\����NAND�t���b�V���ŁA�e�ʂ�768G�r�b�g�ł���B���������́A�������A���C�̉��ɐ����H��z�u���ASamsung������4.29G�r�b�g�^mm2�̃��������x�����������B���݁ASamsung���o�ׂ��Ă���256G�r�b�g��3D NAND�t���b�V���̍ő僁�������x��2.6G�r�b�g�^mm2�ł���B����A�����̃������x���_�[�����ݔ̔����Ă���̂̓v���[�i�i���ʁj�^��NAND�t���b�V���ŁA���������x��1G�r�b�g�^mm2�ł���B
�@Micron�̃t�F���[�œ��_���̒��҂ł���Tomoharu Tanaka���́AEE Times�ɑ��āA�u���Ђ̌o�c�w�́A���v�Z�p�i�ɓK�p���邩�ǂ����ɂ��Ă͂܂����f�������Ă��Ȃ��v�ƌ�����B
�@�t���[�e�B���O�Q�[�g�����͒��N�A�v���[�i�^NAND�t���b�V���ɓK�p����Ă����BSamsung�₻�̑��̃������x���_�[�́A�\�������ȈՂȃ`���[�W�g���b�v�������̗p���Ă���B
�@Tanaka���́A�G���W�j�A�Ŗ��ȂɂȂ���ISSCC�̉��ŁA�u�������ƊE��1990�N�ォ�猻�݂܂ŁA�����\�����ቿ�i�������ł���Z�p��I��ł����B���Ђ��J������3D NAND�t���b�V���������́A�����\�ƒቿ�i�̗����������ł���v�Ǝ咣�����B
�@Micron��NAND�t���b�V���́A97.6mm2��Samsung��NAND�t���b�V���ɔ�ׂ�Α傫���B�č��̔����̒�����Ђł���Objective Analysis�ŃA�i���X�g�߂�Jim Handy���́A�u���̑傫����NAND�t���b�V���͑��ɂ��������邽�߁A���ڂ��ׂ��̓T�C�Y�ł͂Ȃ��v�Ǝw�E����B
�@�ł����ڂ��ׂ��|�C���g�́A�ǂݏo�����x�̑������BSamsung��NAND�t���b�V���̓ǂݏo�����x��178M�o�C�g�^�b�ł���̂ɑ��AMicron�̃�������800M�o�C�g�^�b�ł���B�������A�������ݑ��x�ł�Samsung��53M�o�C�g�^�b�ŁAMicron��44M�o�C�g�^�b�ɏ����Ă���B
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.