160lm���̍���������������GaN on Si�Z�p�ɂ�锒�FLED��ʎY�FLED/�����f�o�C�X
���ł�2015�N2��3���A�V���R���iSi�j�E�G�n�[��ɒ����K���E���iGaN�j����������������uGaN on Si�Z�p�v��p���āA160lm�i���[�����j�����������������3.5mm�p�����Y�p�b�P�[�W�̏Ɩ��p���FLED�uTL1L4�V���[�Y�v�̗ʎY���J�n�����B
»2015�N02��04�� 13��00�� ���J
[EE Times Japan]
�u�ƊE�g�b�v�N���X�̌����v
�@���ł�2015�N2��3���A�V���R���iSi�j�E�G�n�[��ɒ����K���E���iGaN�j����������������uGaN on Si�Z�p�v��p���āA160lm�i���[�����j�����������������3.5mm�p�����Y�p�b�P�[�W�̏Ɩ��p���FLED�uTL1L4�V���[�Y�v�̗ʎY���J�n�����B���łł́A�u�ƊE�g�b�v�N���X�̍������������������v�Ƃ��Ă���B
���� GaN on Silicon�Z�p��ĎЂ��甃���A���FLED��GaN�p���[�����̂�������
���ł́A�č���LED�Ɩ��@�탁�[�J�[����A�uGaN on Silicon�Z�p�v���܂ޔ��FLED�`�b�v�J���֘A���Y�̔����\�����B���FLED�̒�R�X�g����GaN�p���[�����̎����Ɍ������Ȃ�GaN on Silicon�Z�p����ɓ���A�f�B�X�N���[�g�����̎��Ƃ̋������}���B