ISSCC2015�ł́ARF�֘A�̔��\������27���ƁA���Ȃ葽���B������3�̃Z�b�V�����ɕ�����Ĕ��\�����B����́A3�̃Z�b�V�����ɉ����āARF�֘A�̒��ژ_�����Љ�Ă������B
�@RF�i�����g�j���e�[�}�Ƃ��锭�\�́A�����ʐM�̃t�����g�G���h�Ɋւ����̂��B�A���e�i����Ď�M��������ȐM�����G���ő���������A�A���e�i����đ��M����M�������炩���ߏ���̏o�͂ɂ܂ő��������肷���H�╔�i�Ȃǂ̊J�����ʂł���B������̃��o�C���@���E�F�A���u���@��A���C�����X�E�l�b�g���[�N�E�Z���T�[�[���A�����ʐM�C���t���Ȃǂ��x����A�d�v�ȗv�f�Z�p�Ƃ�����B
�@RF�i�����g�j�֘A�̔��\�����͂��Ȃ葽���A���v��27���ɂ���ԁB27���̔��\��3�̃Z�b�V�����ɕ�����Ă���B�Z�b�V����2�i�T�u�e�[�}�́uRF TX/RX�v�Z�p�v�A2��23�����j���ߌ�1��30���J�n�\��j�ƃZ�b�V����13�i�T�u�e�[�}�́u�G�l���M�[�����̍���RF�V�X�e���v�A2��24���Ηj���ߌ�1��30���J�n�\��j�A�Z�b�V����25�i�T�u�e�[�}�́uRF���g�������AGHz����THz�܂Łv�A2��25�����j���ߌ�1��30���J�n�\��j�ł���B
�@�Z�b�V����2�iRF TX/RX�v�Z�p�j�ł́A�����ʐM�̑��M��iTX�j�Ǝ�M��iRX�j�̍\�����i�Ɋւ��錤�����ʂ������B�S����10���Ɛ������̍u����\�肵�Ă���B�Ȃ��ł����ڂ����J�����ʂ́A130GHz�`180GHz�Ƃ������̂������������g���ш�̐M���ɑ��ē��삷��SPDT�iSingle-Pole Double-Throw�j�X�C�b�`�ł���B�V���K�|�[����Nanyang Technological University�Ȃǂ��J�������i�u���ԍ�2.3�j�B���M�Ǝ�M�ŃA���e�i�����p���閳���[���ł́A���Ԃ����đ��M�Ǝ�M��芷����iTDD�����j�B�芷���ɕK�v�Ȃ̂�SPDT�X�C�b�`�ŁA�Ⴂ�}�������ƍ����A�C�\���[�V�������v�������B���\�����SPDT�X�C�b�`�́A�_�C�ʐς�0.0035mm2�Ƌɂ߂ď������B�}��������3.3dB�A�A�C�\���[�V������23.7dB�B�����Z�p��65nm�̃o���NCMOS�ł���B
�@�܂��Z�b�V����2�ł́A10������5���𑗐M�p�p���[�A���v�Ɋւ��锭�\����߂�B�ɕ����ق�STMicroelectronics��̌����`�[���i�u���ԍ�2.10�j�A�č���Georgia Institute of Technology�Ɠ��ł̋��������`�[���i�u���ԍ�2.8�j�A�؍���Samsung Electronics�i�u���ԍ�2.7�j�Ȃǂ��J�����ʂ��I����B
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.